IXFC60N20
Modelo do Produto:
IXFC60N20
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16524 Pieces
Ficha de dados:
IXFC60N20.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS220™
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):230W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:ISOPLUS220™
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFC60N20
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 60A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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