IXFF24N100
Modelo do Produto:
IXFF24N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14932 Pieces
Ficha de dados:
IXFF24N100.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS i4-PAC™
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:390 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:i4-Pac™-5 (3 leads)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFF24N100
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:250nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 22A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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