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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFH30N60Q
IXFH30N60Q
IXFH30N60Q
Modelo do Produto:
IXFH30N60Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14152 Pieces
Ficha de dados:
IXFH30N60Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247AD (IXFH)
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:230 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):500W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFH30N60Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:125nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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