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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFK120N30T
IXFK120N30T
IXFK120N30T
Modelo do Produto:
IXFK120N30T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14087 Pieces
Ficha de dados:
IXFK120N30T.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-264AA (IXFK)
Série:GigaMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:24 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max):960W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFK120N30T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:20000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:265nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 300V 120A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):300V
Descrição:MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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