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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFK80N20Q
IXFK80N20Q
IXFK80N20Q
Modelo do Produto:
IXFK80N20Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16835 Pieces
Ficha de dados:
IXFK80N20Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-264AA (IXFK)
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:28 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):360W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFK80N20Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:180nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 80A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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