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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFN180N10
IXFN180N10
IXFN180N10
Modelo do Produto:
IXFN180N10
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13362 Pieces
Ficha de dados:
IXFN180N10.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):600W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes:479462
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFN180N10
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:360nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 180A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:180A
Email:[email protected]

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