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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFR10N100Q
IXFR10N100Q
IXFR10N100Q
Modelo do Produto:
IXFR10N100Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13390 Pieces
Ficha de dados:
IXFR10N100Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS247™
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):250W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:ISOPLUS247™
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFR10N100Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 9A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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