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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFR230N20T
IXFR230N20T
IXFR230N20T
Modelo do Produto:
IXFR230N20T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18729 Pieces
Ficha de dados:
IXFR230N20T.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS247™
Série:GigaMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max):600W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFR230N20T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:28000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:378nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 156A (Tc) 600W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:156A (Tc)
Email:[email protected]

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