IXFR32N80P
IXFR32N80P
Modelo do Produto:
IXFR32N80P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15706 Pieces
Ficha de dados:
IXFR32N80P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS247™
Série:HiPerFET™, PolarHT™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:290 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:ISOPLUS247™
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFR32N80P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 20A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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