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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFT58N20Q
IXFT58N20Q
IXFT58N20Q
Modelo do Produto:
IXFT58N20Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17529 Pieces
Ficha de dados:
IXFT58N20Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 29A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFT58N20Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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