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IXFX170N20T
- Modelo do Produto:
- IXFX170N20T
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descrição:
- MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18017 Pieces
- Ficha de dados:
- IXFX170N20T.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PLUS247™-3 |
| Série: | GigaMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 11 mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1150W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IXFX170N20T |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 19600pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 265nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 170A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 170A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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