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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFX66N85X
IXFX66N85X
IXFX66N85X
Modelo do Produto:
IXFX66N85X
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
850V/66A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16993 Pieces
Ficha de dados:
IXFX66N85X.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PLUS247™-3
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):1250W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFX66N85X
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:230nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 850V 66A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):850V
Descrição:850V/66A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

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