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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > IXGT39N60BD1
IXGT39N60BD1
IXGT39N60BD1
Modelo do Produto:
IXGT39N60BD1
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT 600V 76A 200W TO268
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16448 Pieces
Ficha de dados:
IXGT39N60BD1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.7V @ 15V, 39A
Condição de teste:480V, 39A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:25ns/250ns
Alternando Energia:4mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:HiPerFAST™
Inversa de tempo de recuperação (trr):25ns
Power - Max:200W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXGT39N60BD1
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:110nC
Descrição expandida:IGBT 600V 76A 200W Surface Mount TO-268
Descrição:IGBT 600V 76A 200W TO268
Atual - Collector Pulsada (ICM):152A
Atual - Collector (Ic) (Max):76A
Email:[email protected]

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