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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXT-1-1N100S1
IXT-1-1N100S1
Modelo do Produto:
IXT-1-1N100S1
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13954 Pieces
Ficha de dados:
IXT-1-1N100S1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:8-SOIC
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXT-1-1N100S1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 1.5A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.5A (Tc)
Email:[email protected]

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