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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTA2N100
IXTA2N100
IXTA2N100
Modelo do Produto:
IXTA2N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18656 Pieces
Ficha de dados:
IXTA2N100.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263 (IXTA)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXTA2N100
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:825pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 2A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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