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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTH120P065T
IXTH120P065T
IXTH120P065T
Modelo do Produto:
IXTH120P065T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19218 Pieces
Ficha de dados:
IXTH120P065T.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 (IXTH)
Série:TrenchP™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):298W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTH120P065T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:185nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 65V 120A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):65V
Descrição:MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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