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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTH13N110
IXTH13N110
IXTH13N110
Modelo do Produto:
IXTH13N110
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13146 Pieces
Ficha de dados:
IXTH13N110.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 (IXTH)
Série:MegaMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:920 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):360W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTH13N110
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5650pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:195nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1100V (1.1kV) 13A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1100V (1.1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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