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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTQ180N085T
IXTQ180N085T
IXTQ180N085T
Modelo do Produto:
IXTQ180N085T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17311 Pieces
Ficha de dados:
IXTQ180N085T.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:TrenchMV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):430W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXTQ180N085T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 85V 180A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-3P
Escorra a tensão de fonte (Vdss):85V
Descrição:MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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