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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTT10N100D2
IXTT10N100D2
IXTT10N100D2
Modelo do Produto:
IXTT10N100D2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16879 Pieces
Ficha de dados:
IXTT10N100D2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.5 Ohm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):695W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTT10N100D2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5320pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Depletion Mode
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 10A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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