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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV
Modelo do Produto:
IXTT3N200P3HV
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Status sem chumbo / Status RoHS:
Lead free by exemption / Em conformidade com a RoHS
Quantidade disponível:
17890 Pieces
Ficha de dados:
IXTT3N200P3HV.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):520W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTT3N200P3HV
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1860pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 2000V (2kV) 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):2000V (2kV)
Descrição:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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