Comprar IXTT50P10 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-268 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 55 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 300W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IXTT50P10 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4350pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 100V 50A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |