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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > IXYA8N90C3D1
IXYA8N90C3D1
IXYA8N90C3D1
Modelo do Produto:
IXYA8N90C3D1
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18951 Pieces
Ficha de dados:
IXYA8N90C3D1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):900V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.5V @ 15V, 8A
Condição de teste:450V, 8A, 30 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:16ns/40ns
Alternando Energia:460µJ (on), 180µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263AA
Série:GenX3™, XPT™
Inversa de tempo de recuperação (trr):114ns
Power - Max:125W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXYA8N90C3D1
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:13.3nC
Descrição expandida:IGBT 900V 20A 125W Surface Mount TO-263AA
Descrição:IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Atual - Collector Pulsada (ICM):48A
Atual - Collector (Ic) (Max):20A
Email:[email protected]

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