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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > IXYH100N65C3
IXYH100N65C3
IXYH100N65C3
Modelo do Produto:
IXYH100N65C3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT 650V 200A 830W TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16731 Pieces
Ficha de dados:
IXYH100N65C3.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.3V @ 15V, 70A
Condição de teste:400V, 50A, 3 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:28ns/106ns
Alternando Energia:2.15mJ (on), 840µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 (IXYH)
Série:GenX3™, XPT™
Power - Max:830W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IXYH100N65C3
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
portão de carga:164nC
Descrição expandida:IGBT PT 650V 200A 830W Through Hole TO-247 (IXYH)
Descrição:IGBT 650V 200A 830W TO247
Atual - Collector Pulsada (ICM):420A
Atual - Collector (Ic) (Max):200A
Email:[email protected]

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