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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - módulos > IXYN82N120C3H1
IXYN82N120C3H1
IXYN82N120C3H1
Modelo do Produto:
IXYN82N120C3H1
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19993 Pieces
Ficha de dados:
IXYN82N120C3H1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:3.2V @ 15V, 82A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:XPT™, GenX3™
Power - Max:500W
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXYN82N120C3H1
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:4060pF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descrição expandida:IGBT Module Single 1200V 105A 500W Chassis Mount SOT-227B
Descrição:IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B
Atual - Collector Cutoff (Max):50µA
Atual - Collector (Ic) (Max):105A
Configuração:Single
Email:[email protected]

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