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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > IXYX100N120B3
IXYX100N120B3
IXYX100N120B3
Modelo do Produto:
IXYX100N120B3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12169 Pieces
Ficha de dados:
IXYX100N120B3.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.6V @ 15V, 100A
Condição de teste:600V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:30ns/153ns
Alternando Energia:7.7mJ (on), 7.1mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PLUS247™-3
Série:GenX3™, XPT™
Power - Max:1150W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IXYX100N120B3
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
portão de carga:250nC
Descrição expandida:IGBT PT 1200V 225A 1150W Through Hole PLUS247™-3
Descrição:IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
Atual - Collector Pulsada (ICM):530A
Atual - Collector (Ic) (Max):225A
Email:[email protected]

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