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JAN1N4150-1
- Modelo do Produto:
- JAN1N4150-1
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 14869 Pieces
- Ficha de dados:
- JAN1N4150-1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para JAN1N4150-1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para JAN1N4150-1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1V @ 200mA |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 50V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-35 |
| Velocidade: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/231 |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 4ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Outros nomes: | 1086-15171 1086-15171-MIL |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | JAN1N4150-1 |
| Descrição expandida: | Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 100nA @ 50V |
| Atual - rectificada média (Io): | 200mA |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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