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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > JAN2N6798
JAN2N6798
Modelo do Produto:
JAN2N6798
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
18414 Pieces
Ficha de dados:
JAN2N6798.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-39
Série:Military, MIL-PRF-19500/557
RDS ON (Max) @ Id, VGS:420 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):800mW (Ta), 25W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-205AF Metal Can
Outros nomes:JAN2N6798-MIL
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:JAN2N6798
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:42.07nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

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