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JANTXV1N6631US
- Modelo do Produto:
- JANTXV1N6631US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 14132 Pieces
- Ficha de dados:
- JANTXV1N6631US.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para JANTXV1N6631US, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para JANTXV1N6631US por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.6V @ 1.4A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1100V (1.1kV) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | D-5B |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 60ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SQ-MELF, B |
| Outros nomes: | 1086-20003 1086-20003-MIL |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | JANTXV1N6631US |
| Descrição expandida: | Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Surface Mount D-5B |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 4µA @ 1100V |
| Atual - rectificada média (Io): | 1.4A |
| Capacitância @ Vr, F: | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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