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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Diodos - RF > JDP2S12CR(TE85L,Q
JDP2S12CR(TE85L,Q
JDP2S12CR(TE85L,Q
Modelo do Produto:
JDP2S12CR(TE85L,Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15136 Pieces
Ficha de dados:
JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - Pico Reversa (Max):180V
Embalagem do dispositivo fornecedor:S-FLAT (1.6x3.5)
Série:-
Resistência @ Se, F:700 mOhm @ 10mA, 100MHz
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:SOD-123F
Outros nomes:JDP2S12CR(TE85LQ)DKR
JDP2S12CR(TE85LQ)DKR-ND
JDP2S12CR(TE85LQDKR
JDP2S12CR(TE85LQMDKR
JDP2S12CR(TE85LQMDKR-ND
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:JDP2S12CR(TE85L,Q
Descrição expandida:RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5)
Tipo Diode:PIN - Single
Descrição:DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
Atual - Max:1A
Capacitância @ Vr, F:1.3pF @ 40V, 1MHz
Email:[email protected]

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