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MBT35200MT1G
- Modelo do Produto:
- MBT35200MT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15758 Pieces
- Ficha de dados:
- MBT35200MT1G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para MBT35200MT1G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para MBT35200MT1G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 35V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 310mV @ 20mA, 2A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-TSOP |
| Série: | - |
| Power - Max: | 625mW |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | SOT-23-6 |
| Outros nomes: | MBT35200MT1GOSDKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 9 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | MBT35200MT1G |
| Frequência - Transição: | 100MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP |
| Descrição: | TRANS PNP 35V 2A 6TSOP |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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