MBT6429DW1T1G
MBT6429DW1T1G
Modelo do Produto:
MBT6429DW1T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14511 Pieces
Ficha de dados:
MBT6429DW1T1G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):45V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:2 NPN (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:MBT6429DW1T1G-ND
MBT6429DW1T1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:MBT6429DW1T1G
Frequência - Transição:700MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 200mA 700MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descrição:TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:500 @ 100µA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA
Atual - Collector (Ic) (Max):200mA
Email:[email protected]

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