MCR08BT1,115
MCR08BT1,115
Modelo do Produto:
MCR08BT1,115
Fabricante:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição:
THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19296 Pieces
Ficha de dados:
MCR08BT1,115.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - On Estado (VTM) (Max):1.7V
Tensão - Estado Off:200V
Tensão - de acionamento do gate (Vgt) (Max):800mV
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-223
Série:-
Tipo SCR:Sensitive Gate
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes:1740-1191-2
568-11221-2
568-11221-2-ND
934056931115
MCR08BT1 T/R
MCR08BT1 T/R-ND
MCR08BT1,115-ND
Temperatura de operação:-40°C ~ 125°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:MCR08BT1,115
Descrição expandida:SCR 200V 800mA Sensitive Gate Surface Mount SOT-223
Descrição:THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
Atual - On Estado (It (RMS)) (Max):800mA
Atual - On Estado (It (AV)) (Max):500mA
Atual - Off Estado (Max):100µA
Atual -. Não Rep Surge 50, 60Hz (ITSM):8A, 9A
Atual - Hold (Ih) (Max):5mA
Atual - de acionamento do gate (lgt) (Max):200µA
Email:[email protected]

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