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MJ14001G
- Modelo do Produto:
- MJ14001G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PNP 60V 60A TO-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18577 Pieces
- Ficha de dados:
- MJ14001G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para MJ14001G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para MJ14001G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 60V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 3V @ 12A, 60A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 300W |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | TO-204AE |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | MJ14001G |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 60A 300W Through Hole TO-3 |
| Descrição: | TRANS PNP 60V 60A TO-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 15 @ 50A, 3V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
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