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MJD112-001
- Modelo do Produto:
- MJD112-001
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 16766 Pieces
- Ficha de dados:
- MJD112-001.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 100V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 3V @ 40mA, 4A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I-Pak |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.75W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Outros nomes: | MJD112-001OS |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | MJD112-001 |
| Frequência - Transição: | 25MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-Pak |
| Descrição: | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 2A, 3V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 20µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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