MJD50G
MJD50G
Modelo do Produto:
MJD50G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 400V 1A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
20416 Pieces
Ficha de dados:
MJD50G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):400V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1V @ 200mA, 1A
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK-3
Série:-
Power - Max:1.56W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:MJD50G-ND
MJD50GOS
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:2 Weeks
Número de peça do fabricante:MJD50G
Frequência - Transição:10MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
Descrição:TRANS NPN 400V 1A DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 300mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):200µA
Atual - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

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