MJE253G
MJE253G
Modelo do Produto:
MJE253G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 100V 4A TO225AA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16668 Pieces
Ficha de dados:
MJE253G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-225AA
Série:-
Power - Max:1.5W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-225AA, TO-126-3
Outros nomes:MJE253GOS
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:21 Weeks
Número de peça do fabricante:MJE253G
Frequência - Transição:40MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.5W Through Hole TO-225AA
Descrição:TRANS PNP 100V 4A TO225AA
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 200mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):4A
Email:[email protected]

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