MMBT8099LT1G
MMBT8099LT1G
Modelo do Produto:
MMBT8099LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19874 Pieces
Ficha de dados:
MMBT8099LT1G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
Power - Max:225mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:MMBT8099LT1GOS
MMBT8099LT1GOS-ND
MMBT8099LT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:2 Weeks
Número de peça do fabricante:MMBT8099LT1G
Frequência - Transição:150MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 150MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descrição:TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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