MMDF3N04HDR2G
Modelo do Produto:
MMDF3N04HDR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17243 Pieces
Ficha de dados:
MMDF3N04HDR2G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:80 mOhm @ 3.4A, 10V
Power - Max:1.39W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:MMDF3N04HDR2GOS
MMDF3N04HDR2GOS-ND
MMDF3N04HDR2GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:MMDF3N04HDR2G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 32V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.4A 1.39W Surface Mount 8-SOIC
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

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