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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > MMDT4146-7-F
MMDT4146-7-F
MMDT4146-7-F
Modelo do Produto:
MMDT4146-7-F
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13998 Pieces
Ficha de dados:
MMDT4146-7-F.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):25V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-363
Série:-
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:MMDT4146-FDITR
MMDT41467F
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:MMDT4146-7-F
Frequência - Transição:300MHz, 250MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 25V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Descrição:TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max):50nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):200mA
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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