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MMRF5014HR5
- Modelo do Produto:
- MMRF5014HR5
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- FET RF 125V 2.5GHZ NI360
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14495 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.MMRF5014HR5.pdf2.MMRF5014HR5.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Teste: | 50V |
|---|---|
| Tensão - M: | 125V |
| Tipo transistor: | HEMT |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | NI-360H-2SB |
| Série: | - |
| Potência: | 125W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | NI-360H-2SB |
| Outros nomes: | 935320584128 MMRF5014HR5TR |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | MMRF5014HR5 |
| Ganho: | 18dB |
| Freqüência: | 2.5GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet HEMT 50V 350mA 2.5GHz 18dB 125W NI-360H-2SB |
| Descrição: | FET RF 125V 2.5GHZ NI360 |
| Potência nominal: | - |
| Atual - Teste: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para MMRF5014HR5
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
MMRF5015NR5 | NXP USA Inc. | TRANS RF N-CH 125W 50V | inquérito |
 |
BLF6G27LS-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | inquérito |
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PXAC243502FVV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | inquérito |
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MRF21085LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | inquérito |
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MMRF1320GNR1 | NXP USA Inc. | TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V | inquérito |
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BF909AWR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143R | inquérito |
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BLL8H1214LS-250U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | inquérito |
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BG5412KH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | inquérito |
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BLF7G27LS-140,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | inquérito |
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BLF6G15L-250PBRN:1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A | inquérito |
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