MTD6N15T4G
MTD6N15T4G
Modelo do Produto:
MTD6N15T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13943 Pieces
Ficha de dados:
MTD6N15T4G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:300 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.25W (Ta), 20W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:MTD6N15T4GOS
MTD6N15T4GOS-ND
MTD6N15T4GOSTR
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:MTD6N15T4G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 150V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):150V
Descrição:MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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