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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > MUN5211T1G
MUN5211T1G
MUN5211T1G
Modelo do Produto:
MUN5211T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15449 Pieces
Ficha de dados:
MUN5211T1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-3 (SOT323)
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:202mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:MUN5211T1GOSDKR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:28 Weeks
Número de peça do fabricante:MUN5211T1G
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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