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MUN5312DW1T1G
- Modelo do Produto:
- MUN5312DW1T1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13946 Pieces
- Ficha de dados:
- MUN5312DW1T1G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para MUN5312DW1T1G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para MUN5312DW1T1G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | 22k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 22k |
| Power - Max: | 250mW |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Outros nomes: | MUN5312DW1T1GOSDKR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | MUN5312DW1T1G |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Descrição: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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