MUR1100EG
MUR1100EG
Modelo do Produto:
MUR1100EG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17234 Pieces
Ficha de dados:
MUR1100EG.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.75V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1000V (1kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Axial
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:SWITCHMODE™
Inversa de tempo de recuperação (trr):100ns
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:DO-204AL, DO-41, Axial
Outros nomes:MUR1100EG-ND
MUR1100EGOS
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:MUR1100EG
Descrição expandida:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole Axial
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 1000V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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