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MUR20010CT
- Modelo do Produto:
- MUR20010CT
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12133 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.MUR20010CT.pdf2.MUR20010CT.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.3V @ 100A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 100V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Twin Tower |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 75ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Twin Tower |
| Outros nomes: | 1242-1000 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | MUR20010CT |
| Descrição expandida: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
| Tipo Diode: | Schottky |
| configuração de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descrição: | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 25µA @ 50V |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 200A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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