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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Matrizes de Diodos-retificadores - de > MURTA400120R
MURTA400120R
MURTA400120R
Modelo do Produto:
MURTA400120R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14440 Pieces
Ficha de dados:
MURTA400120R.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:2.6V @ 200A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1200V (1.2kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Three Tower
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Three Tower
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:MURTA400120R
Descrição expandida:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V (1.2kV) 200A Chassis Mount Three Tower
Tipo Diode:Standard
configuração de diodo:1 Pair Common Anode
Descrição:DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Atual - dispersão reversa @ Vr:25µA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):200A
Email:[email protected]

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