NDD03N80ZT4G
NDD03N80ZT4G
Modelo do Produto:
NDD03N80ZT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17962 Pieces
Ficha de dados:
NDD03N80ZT4G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.5 Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):96W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NDD03N80ZT4G-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Número de peça do fabricante:NDD03N80ZT4G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.9A (Tc)
Email:[email protected]

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