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NE3210S01-T1B
- Modelo do Produto:
- NE3210S01-T1B
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrição:
- FET RF 4V 12GHZ S01
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15505 Pieces
- Ficha de dados:
- NE3210S01-T1B.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NE3210S01-T1B, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NE3210S01-T1B por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Teste: | 2V |
|---|---|
| Tensão - M: | 4V |
| Tipo transistor: | HFET |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SMD |
| Série: | - |
| Potência: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 4-SMD |
| Fator de ruído: | 0.35dB |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | NE3210S01-T1B |
| Ganho: | 13.5dB |
| Freqüência: | 12GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB SMD |
| Descrição: | FET RF 4V 12GHZ S01 |
| Potência nominal: | 15mA |
| Atual - Teste: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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