Comprar NE3510M04-T2-A com BYCHPS
Compre com garantia
NE3510M04-T2-A
- Modelo do Produto:
- NE3510M04-T2-A
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrição:
- FET RF 4V 4GHZ M04
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16220 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.NE3510M04-T2-A.pdf2.NE3510M04-T2-A.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NE3510M04-T2-A, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NE3510M04-T2-A por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Teste: | 2V |
|---|---|
| Tensão - M: | 4V |
| Tipo transistor: | HFET |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | M04 |
| Série: | - |
| Potência: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-343F |
| Outros nomes: | NE3510M04-T2-A-ND NE3510M04-T2-ATR NE3510M04T2A |
| Fator de ruído: | 0.45dB |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | NE3510M04-T2-A |
| Ganho: | 16dB |
| Freqüência: | 4GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet HFET 2V 15mA 4GHz 16dB M04 |
| Descrição: | FET RF 4V 4GHZ M04 |
| Potência nominal: | 97mA |
| Atual - Teste: | 15mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NE3510M04-T2-A
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3512S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | inquérito |
|
NE3511S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | inquérito |
|
NE3516S02-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | inquérito |
|
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | inquérito |
 |
NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | inquérito |
|
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | inquérito |
|
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | inquérito |
|
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | inquérito |
 |
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | inquérito |
|
NE3513M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | inquérito |
|
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | inquérito |
|
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | inquérito |
|
NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | inquérito |
|
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | inquérito |
|
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | inquérito |
|
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | inquérito |
 |
GTVA220701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | inquérito |
Latest Notícias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog