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NE3521M04-T2-A
- Modelo do Produto:
- NE3521M04-T2-A
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrição:
- IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18540 Pieces
- Ficha de dados:
- NE3521M04-T2-A.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NE3521M04-T2-A, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NE3521M04-T2-A por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Teste: | 2V |
|---|---|
| Tensão - M: | 4V |
| Tipo transistor: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Série: | - |
| Potência: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 4-SMD, Flat Leads |
| Outros nomes: | NE3521M04-T2-ATR |
| Fator de ruído: | 0.85dB |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante: | NE3521M04-T2-A |
| Ganho: | 11dB |
| Freqüência: | 20GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 6mA 20GHz 11dB |
| Descrição: | IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI |
| Potência nominal: | 70mA |
| Atual - Teste: | 6mA |
| Email: | [email protected] |
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